高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用

  知识产权目录(只填已授权知识产权支撑材料,按重要程度排序,限10个)
序号 知识产权类别 授权项目名称 国(区)别 授权号 授权公告日 发明人 权利人
1发明专利权一种SiC肖特基二极管及其制作方法中国ZL 201310580966.22016-08-17刘新宇,许恒宇,汤益丹,蒋浩杰,赵玉印,申华军,白云,杨谦中国科学院微电子研究所
2发明专利权一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法中国ZL 201210104300.52015-03-25李理,柏松,陈刚中国电子科技集团公司第五十五研究所
3发明专利权结势垒肖特基二极管及其制造方法中国ZL201410200502.92014-05-13李诚瞻,刘可安,吴煜东,吴佳,史晶晶,杨勇雄株洲南车时代电气股份有限公司
4发明专利权碳化硅MOSFET器件及其制作方法中国ZL 201510574417.32018-03-23汤益丹,申华军,白云,周静涛,杨成樾,刘新宇,李诚瞻,刘国友中国科学院微电子研究所,株洲南车时代电气股份有限公司
5发明专利权一种场限环结终端结构的优化设计方法中国ZL 201410671594.92017-05-17白云,申华军,汤益丹,杨成樾,王弋宇,于海龙,彭朝阳,刘新宇中国科学院微电子研究所
6发明专利权碳化硅功率器件终端结构及其制造方法中国ZL 201610599784.32019-06-04邓小川,柏思宇,宋凌云,陈茜茜;张波电子科技大学
7发明专利权基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法中国ZL 201810521200.X2019-08-16刘新宇,汤益丹,王盛凯,白云,杨成樾中国科学院微电子研究所
8发明专利权用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置中国ZL 201810521197.12019-06-18刘新宇,汤益丹,王盛凯,白云,杨成樾中国科学院微电子研究所
9发明专利权一种提高碳化硅外延片片内n型掺杂浓度均匀性的方法中国ZL 201310615586.82016-03-16李赟中国电子科技集团公司第五十五研究所
10发明专利权一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法中国ZL201310570937.82016-04-20刘新宇,汤益丹,许恒宇,蒋浩杰,赵玉印,申华军,白云,杨谦中国科学院微电子研究所


  知识产权目录(标准)
序号 标准名称 类别 标准号/备案号


  知识产权目录(论文)
序号 论文(专著)名称 刊名/出版社 发表时间 通讯作者 第一作者 论文全部作者 SCI他引次数 他引总次数 年卷期页码 是否国内完成


  国家法律法规要求的行业批准文件目录(不超过10个)
序号 批准文件名称 产品名称 批准单位 批准时间 申请单位


  经济效益支撑材料目录(限10个)
序号 候选单位 支撑材料种类 名称 应用方 效益产生日期 经济效益(万元) 备注
1中国科学院微电子研究所项目收入明细表附件3.1-微所2016-2018年度项目收入明细表捷捷半导体有限公司、华为技术有限公司等2016-06-20755.16效益产生日期为第一次产生效益的时间
2中国科学院微电子研究所销售合同附件3.2-与捷捷的宽禁带中心协议及发票捷捷半导体有限公司2016-06-27160
3中国科学院微电子研究所销售发票附件3.3-与华为技术有限公司的发票华为技术有限公司2016-06-20156
4中国电子科技集团公司第五十五研究所项目收入明细表附件3.4-55所2016-2018项目收入明细表华为技术公司2016-04-155441.699
5中国电子科技集团公司第五十五研究所销售发票附件3.5-与中电14所的记账凭证及发票华为技术公司2017-12-25216.82
6株洲中车时代电气股份有限公司项目收入明细表附件3.6-中车2016-2018年项目收入明细表株洲中车时代电气股份有限公司2017-05-12310.154
7株洲中车时代电气股份有限公司销售合同附件3.7-与中车电气总部签订的销售合同株洲中车时代电气股份有限公司2017-05-1266.4615
8株洲中车时代电气股份有限公司销售合同附件3.8-与中车电气总部签订的销售合同株洲中车时代电气股份有限公司2017-09-29243.6923
9扬州国扬电子有限公司项目收入明细表附件3.9-国扬2016-2018年项目收入明细表深圳英飞源技术有限公司、广州托克马斯电子等2017-02-021162.21
10扬州国扬电子有限公司销售合同附件3.10-与广州托克马斯电子签订合同广州托克马斯电子2018-07-09390.92018年签订合同2897.40万元,已开票390.90万元,直接经济效益按照开票金额390.90计算。


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